郑有炓

人物经历

1935年，出生于福建大田。

1957年，南京大学物理系(北京大学等五校联合半导体专业)毕业。至今一直在南京大学任教。

1984-1986年，参加中、美物理学会“原子、分子和凝聚态物理合作研究计划”在美国纽约州立大学（Buffalo）物理系开展半导体低维结构研究。1988-1992年任国家自然科学基金半导体学科专家评审组成员。1992-2001年任国家自然科学基金半导体学科专家评审组成员、国家“863计划”光电子主题专家组成员、国家“攀登计划”项目专家委员会委员。

2003年，当选中国科学院院士。

2004年9月，出席首次在中国召开的第十二届“小颗粒与无机团簇系列国际会议”(ISSPIC)。

2005年4月，由中国科学院信息技术科学部、技术科学部、数学物理学部利用在杭州共同举办“固态照明”技术科学论坛之机，在浙江临安组织举办了由简水生、郑有炓院士主讲的题为“21世纪的节能思考”和“III族氮化物发光材料的科技问题”的报告。

郑有炓院士深入浅出地阐述了半导体照明的特点，介绍了III族氮化物获取从深紫外到红外各波长光的特点，展望了半导体发光技术在照明、探测物质结构和超高密度数据存储等广泛和重要的应用前景，指出了半导体照明是半导体继微电子技术革命、光电子技术革命和射频技术革命之后，又一次造福于全人类的一次技术革命。最后，他结合当地固态照明产业的发展条件和基础，从市场前景、资金投入和研发步骤等方面出发提出了建设性的意见和建议。

2006年5月，郑有炓以“当代信息高科技的挑战”为题，为深圳市电子技术学校的全体教师及优秀学生代表作了一场生动的报告。

2007年11月，第三届电工电子课程报告论坛在南京市钟山宾馆隆重召开。郑有炓院士作了题为“现代信息技术中的微电子技术”的报告，柴天佑院士作了题为“工业自动化的发展对自动化专业人才培养的挑战”的报告，分别就信息领域中微电子技术和自动化技术的发展现状及其对电类课程教学改革提出的相应要求作了阐述。

2008年9月，参加中国光电行业高端峰会。

2009年9月，出席扬州科技创新·产业合作（南京）推介会并致辞。

2010年1月，参加中科院微电子所“973”计划和重大科学研究计划项目“超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究”、“纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究”项目实施启动会议。

2011年2月，担任常州LED产业创新联盟顾问。

2011年4月，参加福建物构所举办的新材料产业发展与展望研讨会。

2012年7月，应邀出任世界客属第二十五届恳亲大会首席“城市骄傲”形象大使。

2013年5月，参加海峡两岸功能材料科技与产业峰会。

2014年10月，出席第十一届长三角科技论坛院士圆桌会议。

2015年9月，郑有炓院士代表41家发起机构正式宣布第三代半导体产业技术创新战略联盟的成立，科技部副部长曹健林，国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长、北京半导体照明科技促进中心主任吴玲为联盟揭牌。

2015年11月，第十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2015）在深圳会展中心举行了盛大的开幕式。郑有炓出席本次大会并发言指出，LED照明作为宽禁带半导体材料应用的突破口，引发了“第三代半导体技术”的大发展，其以“高能效、低功耗，兼具极端性能和耐恶劣环境”的独特性能，顺应了当代社会发展的迫切需求，受到了科技界、产业界的高度关注，成为当前全球性的研发热点。

2015年10月，参加第十二届长三角科技论坛院士专家建言献策座谈会。围绕徐州经济、科技发展、"十三五规划"建言献策。

主要成就

科研成就

科研综述

郑有炓从事新型半导体异质结构材料与器件研究。在锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构研究中，发展了生长锗硅、Ⅲ族氮化物异质结构材料的光辐射加热方法和新技术。基于锗硅、Ⅲ族氮化物极化能带工程，发展了多种新器件。提出并实现了铁电体/氮化镓、铁磁体/半导体异质结构新体系。发现锗硅合金应变诱导有序化新结构，提出新模型。

揭示Ⅲ族氮化物异质结构极化、二维电子气及其相关性质。观测到碲化镉/锑化铟异质结构二维电子气及占据子带规律，开拓II-VI/III-V族异质体系二维电子气研究领域。提出基于锗硅技术实现二氧化硅/硅界面量子限制硅纳米结构。

科研成果奖励&项目

1992年，国防科工委光华科技基金一等奖（获奖）

1992年，国家科委国家高技术八六三计划先进工作者一等奖（获奖）

1990年，江苏省科技进步三等奖半导体变频C-V/G-V方法和VFC-1型微机变频C-V测试系统（获奖）

1989年，江苏省科技进步三等奖聚合物半导体薄膜及其应用的基础研究（获奖）

1988年，江苏省科技进步三等奖InP-MIS界面与InP-MIS晶体管研究（获奖）

人才培养

在开展科学研究的同时，郑有炓从未间断过教书育人的工作。他相信只有培养更多的青年英才，才会使科学研究薪火相传。十多年来，他努力建立起一支学术梯队。培养年轻教授6人，包括博导6人，国家杰出青年基金3人，培养了一大批硕士生、博士生，其中1人获2001年全国优秀博士学位论文奖。

硕博培养

据中国科学技术信息研究所、国家工程技术数字研究馆信息：1999年至2004年期间，郑有炓共培养6名学生获得博士学位，硕士11名，基本情况如下：

【杨红官】学位类别：博士；授予学位日期2004年04月01日；授予学位单位：南京大学；学位论文：锗/硅异质纳米结构MOSFET存储器

【邓咏桢】学位类别：硕士；授予学位日期2004年03月20日；授予学位单位：南京大学；学位论文：AlN和SiGeC的应变和深能级研究

【卢佃清】学位类别：博士；授予学位日期2004年04月08日；授予学位单位：南京大学；学位论文：GaN材料HVPE生长研究

【刘杰】学位类别：硕士；授予学位日期2003年05月20日；授予学位单位：南京大学；学位论文：Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN异质结构材料物性研究

【席冬娟】学位类别：硕士；授予学位日期2002年11月20日；授予学位单位：南京大学；学位论文：硅基Ⅲ族氮化物宽带隙半导体界面性质研究

【陈平】学位类别：硕士；授予学位日期2002年06月04日；授予学位单位：南京大学；学位论文：Si、SiC异质外延生长研究

【郑泽伟】学位类别：博士；授予学位日期2002年05月28日；授予学位单位：南京大学；学位论文：Ⅲ族氮化物AlGaN/GaN异质结构输运性质研究

【徐剑】学位类别：硕士；授予学位日期2002年05月20日；授予学位单位：南京大学；学位论文：氮化镓的激光分离技术及稀释磁性半导体的研究

【谢世勇】学位类别：硕士；授予学位日期2001年06月01日；授予学位单位：南京大学；学位论文：注Mg:GaN的光学性质与GaN高温输运特性的智能化测试

【赵作明】学位类别：硕士；授予学位日期2001年05月20日；授予学位单位：南京大学；学位论文：Si基GaN材料及其光电探测器的研究

【陈克林】学位类别：硕士；授予学位日期2001年05月19日；授予学位单位：南京大学；学位论文：GaN湿法腐蚀及HVPE生长系统研究

【袁晓利】学位类别：博士；授予学位日期2001年05月10日；授予学位单位：南京大学；学位论文：硅纳米晶粒浮置栅MOS存储器特性的研究

【陈鹏】学位类别：博士；授予学位日期2000年11月01日；授予学位单位：南京大学；学位论文：Si基Ⅲ-族氮化物生长和Ⅲ-族氮化物MIS结构研究

【罗志云】学位类别：硕士；授予学位日期2000年06月01日；授予学位单位：南京大学；学位论文：Si基Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,Y>体系近红外探测器的研究

【程雪梅】学位类别：硕士；授予学位日期2000年06月01日；授予学位单位：南京大学；学位论文：硅基富Ge-SiGeC合金薄膜热氧化发光和退火性质研究

【陈志忠】学位类别：博士；授予学位日期2000年05月01日；授予学位单位：南京大学；学位论文：GaN薄膜材料光学、电学性质及微结构研究

【臧岚】学位类别：硕士；授予学位日期1999年06月01日；授予学位单位：南京大学；学位论文：GeSi合金体系及GaN材料与器件研究

荣誉表彰

则多次获江苏省“优秀学科带头人”、“优秀高校教师”和“优秀科学工作者”荣誉。

1992年，江苏省优秀科技工作者称号（获奖）

1990年，江苏省优秀教育工作者奖（获奖）

2003年，当选为中国科学院院士。

2021年，江苏省科学技术突出贡献奖（获奖）

社会任职

2002-2003年，国家自然科学基金委信息科学部第一届专家咨询委员会委员。现兼任国家重点基础研究发展计划（973计划）信息科学领域专家咨询组成员，副组长，国家半导体照明工程研发及产业联盟顾问、指导委员会委员。现兼任国家重点基础研究发展计划（973计划）信息科学领域专家咨询组成员，副组长，国家半导体照明工程研发及产业联盟顾问、指导委员会委员。

参考资料

郑有炓·中国科学院学部